【IC设计前沿技术系列讲座】之杨树博士学术报告

 2015年5月25日下午,应我校微纳中心系统集成研究中心执行主任、电子科学与技术系“千人计划”教授林福江的邀请,香港科技大学电子与计算机工程学系访问助理教授年轻才女杨树博士,在微纳中心713会议室为科大师生带来了一场题为“Technology Challenges and Opportunities of GaN-on-Si Heterojunction Power Devices”的精彩讲座。学术报告前后杨博士与信息学院书记兼副院长陈卫东教授进行了交流并参观了微纳研究与制造中心及先进技术研究院。

  近年来,对被誉为第三代半导体GaN材料的研究已经越来越热。相对于前两代的半导体材料来说,GaN材料由于其具有宽禁带,高耐压,高电子饱和速率和电子迁移率以及高工作温度等特性,在能源,通信等领域展现出了极其诱人的应用前景。在化石能源日趋短缺的当今社会,以GaN异质结为代表的III-V族功率开关器件将成为新一代高效率能量转化系统的核心。尽管目前在GaN材料生长,器件制造以及电路设计等方面取得了巨大进步,一些由器件界面陷阱效应以及衬底陷阱效应引起的问题仍是目前阻碍GaN等器件商业化的主要因素。

  本次讲座中,林福江教授首先对目前国内高校在众多新兴领域的协同创新合作进行了简单介绍,在国内高校蓬勃合作的背景下,对同学们提出了更高的要求。开场白后,年轻才女杨博士以其数年来在国际顶级期刊及会议如TED,EDL,IEDM发表的原创性成果为基础,详尽地介绍了GaN材料的最新进展。包括可以有效提高器件性能的表面氮化技术,新型器件MIS-HEMT和MOSC-HEMT的制造原理及各自的优缺点以及基于Si衬底的GaN器件等。同时,针对目前存在的挑战,杨博士在报告中还生动详细地向同学们展示了横向陷阱效应与纵向陷阱效应的物理机理及其克服的方法等。

  杨博士的讲座内容生动而新颖,让大家及时地了解到了该领域的最新进展。大家纷纷针对报告内容进行了提问与咨询。杨树博士对大家的提问一一做出了解答。最后,林福江教授对杨树博士为讲座观众带来的指导与启发表示衷心感谢。

 

  讲座人简介:

  杨树博士,香港科技大学(HKUST)PhD, 复旦大学本科。目前为香港科技大学电子与计算机工程学系访问助理教授。杨树博士目前的研究领域为下一代高效率能量转换系统中的GaN半导体器件核心技术及物理机理。杨博士已在TED、EDL、IEDM、APL等国际顶级期刊及会议发表论文40余篇。她的研究成果目前已被工业界杂志如《Compound Semiconductor》《Semiconductor Today》等广泛引用。